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對蘋果生態(tài)用戶友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互聯(lián)、后排iPad上車

  • 3月14日消息,不僅是手機產(chǎn)品,小米在汽車領域也實現(xiàn)了與蘋果生態(tài)的深度融合。日前,小米汽車發(fā)文稱,小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態(tài)產(chǎn)品,如iPhone、iPad等,其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態(tài)拓展能力,對蘋果生態(tài)用戶非常友好。小米汽車還提到,目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據(jù)了解,小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯(lián),車主可享受iPhone中的音樂、導航等功能。在CarPlay連接狀態(tài)下,可以正常使用小愛同學,同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時,小
  • 關鍵字: 小米汽車  蘋果  SU7 Ultra  

蘋果 M4 Ultra 芯片恐將永遠缺席,三大原因揭秘

  • 3 月 10 日消息,彭博社馬克?古爾曼昨日(3 月 9 日)發(fā)布博文,認為蘋果公司未來不會再推出 M4 Ultra 芯片,并透露了第 3 個原因。蘋果公司于 3 月 5 日發(fā)布了 2025 款 Mac Studio,提供了 M4 Max 與 M3 Ultra 兩種配置選項,這不免讓人疑惑,蘋果為何選擇 M3 Ultra 而非 M4 Ultra?M3 Ultra 芯片配備高達 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神經(jīng)網(wǎng)絡引擎,并支持最高 512GB 的統(tǒng)一內存。蘋果表示,M3 Ult
  • 關鍵字: 蘋果  M4 Ultra  芯片  

小米ultra的52.99萬元背后:當風口上的雷軍最終變成造風者

  • 1987年,武漢大學計算機系的教室里,那個赤腳在寒冬機房編程的少年不會想到,三十八年后,他將在汽車工業(yè)史上刻下濃墨重彩的一筆。雷軍用兩年修完四年學分的狠勁,似乎早已預示著這個湖北小鎮(zhèn)青年將用"極致效率"改寫商業(yè)規(guī)則。從金山軟件CEO到天使投資人,從智能手機到智能汽車,這位永遠穿著牛仔褲的科技狂人,始終在用互聯(lián)網(wǎng)思維解構傳統(tǒng)行業(yè)。  2010年北京四月的一鍋小米粥,釀成了中國手機行業(yè)的颶風,一具摧毀了在我國根深蒂固的“山寨機”市場;2021年宣布造車的孤注一擲,則讓國
  • 關鍵字: 小米汽車  新能源汽車  小米su7 ultra  

第16講:SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD(肖特基勢壘二極管)是一種利用金屬和半導體接觸,在接觸處形成勢壘,具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下,而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比,因此為了提高耐壓,必須增加器件的厚度。而
  • 關鍵字: 三菱電機  SiC  SBD  

東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中,當下橋臂[2]關閉時,米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓,進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有,在柵極關閉時,對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
  • 關鍵字: 東芝  SiC MOSFET  柵極驅動  光電耦合器  

速看!SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版

  • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!http://m.ptau.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來了!http://m.ptau.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn),本文將介紹演示和測試結果。演
  • 關鍵字: SiC  JFET  并聯(lián)設計  

小米于2月27日發(fā)布SU7 Ultra,預計首年銷量達1萬輛

  • 意義:這款由中國汽車制造商小米汽車打造的SU7 Ultra,作為SU7轎車的高性能版本,旨在與保時捷Taycan和特斯拉Model S等車型競爭。展望:盡管SU7 Ultra并非是一款面向大眾市場的車型,但它將幫助小米吸引高性能車愛好者以及豪華車買家走進其展廳。Source:Xiaomi小米汽車已于2月27日公布了SU7 Ultra的定價。這款由中國汽車制造商小米汽車打造的SU7 Ultra,作為SU7轎車的高性能版本,旨在與保時捷Taycan和特斯拉Model S等車型競爭。從一開始,小米就將SU7對標
  • 關鍵字: 小米  SU7 Ultra  

小米SU7 Ultra將首次亮相巴展

  • 3月2日晚,小米在西班牙巴塞羅那召開小米15系列全球發(fā)布會,小米15?Ultra全球同步發(fā)售,歐洲起售價1499歐元。小米15標準版也正式在海外市場發(fā)售,起售價為999歐元。此外,本次發(fā)布會還帶來了小米澎湃OS2、小米平板7 Pro、小米Buds5 Pro、小米手表S4、小米電動滑板車5 Max等多款「人車家全生態(tài)」新品。小米集團合伙人、集團總裁盧偉冰在發(fā)布會上表示:“推動我們在高端市場的發(fā)展,比以往任何時候都更加重要?!毙∶仔夹∶譙U7 Ultra和小米15 Ultra將在3月3日同步亮相2
  • 關鍵字: 小米  小米15 Ultra  小米SU7 Ultra  MWC  

碳化硅與硅:為什么 SiC 是電力電子的未來

  • 在這里,我們比較了碳化硅 (SiC) 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異,并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 (Si) 到碳化硅 (SiC):改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 (Si) 等傳統(tǒng)半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而,碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)徹底改變了這一領域,為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
  • 關鍵字: 碳化硅  SiC  電力電子  

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵,器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛,今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預測顯示,我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上,我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛,同比分別增長3.7%和4.5%,繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模,產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中,新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛,分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛,同比分別增長34.4%和35.5
  • 關鍵字: 電驅  碳化硅  SiC  新能源汽車  800V  

小米 SU7 Ultra 汽車開售 2 小時,大定過 1 萬臺

  • 2 月 28 日消息,小米汽車官方剛剛宣布,SU7 Ultra 開售 2 小時,大定過 1 萬臺,達成一個關鍵目標。今日早些時候,該車已官宣大定 10 分鐘突破 6900 臺。IT之家注意到,小米 SU7 Ultra 定金 20000 元,按 10000 臺進行計算,定金約2 億元。按照入門版 52.99 萬元計算,10000 臺新車最終銷售額至少約52.99 億元。小米 SU7 Ultra 目標成為地表最快的四門量產(chǎn)車,搭載小米超級三電機系統(tǒng),標配賽道版散熱系統(tǒng)、制動系統(tǒng),紐北調校底盤系統(tǒng),標準版就能直
  • 關鍵字: 小米   SU7 Ultra  電動汽車  國產(chǎn)汽車  

格力:SiC工廠整套環(huán)境設備均為自主制造

  • 自央視頻官方獲悉,格力電器董事長董明珠在紀錄片中,再次回應外界對格力造芯片質疑,并談到了格力建設的芯片工廠,直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示,造芯片不是格力電器孤勇地冒險,是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠,整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中,格力解決了一個最大的問題?!皞鹘y(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設備都是進口的,比如恒溫狀態(tài),而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設備,要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能,而這可以降低企業(yè)的成本?!倍髦橐?/li>
  • 關鍵字: 格力電器  SiC  芯片工廠  

從硅到碳化硅過渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

  • 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選技術。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術,基于雙極結型晶體管(B
  • 關鍵字: SiC  Cascode  JFET  AC-DC  

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
  • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  

三代進化,安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析

  • SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實現(xiàn)高功率密度設計,有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的運行頻率更高,有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效,并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比,SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu),有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
  • 關鍵字: SiC  電源轉換  
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